Samsung разработал первые 30-нм модули памяти DDR3

Samsung разработал первые в мире модули памяти стандарта DDR3 RAM, изготовленные с применением 30-нанометровой технологии.

В отличие от 40-нанометровых чипов разработанные модули обладают более высокой производительностью, и при этом меньшим энергопотреблением. Прежде всего, 30-нанометровые модули памяти найдут применение в портативных решениях, так как их пониженное энергопотребление поможет сэкономить на расходе энергии аккумулятора, таким образом, продлив время автономной работы. Хотя, конечно же, актуальным будет их применение и в стационарных компьютерах, серверах и даже мобильных устройствах.



Рабочие образцы, продемонстрированные Samsung, имеют объём 2 Гбит, а их напряжение питания ячеек составляет 1.5 или 1.35 Вт (для сравнения у 40-нм - 1.8 Вт). Серийное производство Samsung планирует начать со второй половины года.