Инженерами компании Samsung разработаны несколько рабочих образцов модулей памяти DDR3, которые были произведены по 30-нанометровой технологии. Они обладают невероятно низким энергопотреблением, а прирост их производительности составил порядка 60% по сравнению с 40-нанометровым модулем памяти.